据韩国《首尔经济》2月23日报道，三星电子日前在美国2024年国际固态电路会议（ISSCC）上发布了第六代高带宽内存HBM4研究成果，将进一步提高内存性能，为数据中心、高性能计算和人工智能等领域提供更强大的支持。HBM4技术采用了更先进的制程工艺，使得内存芯片的容量和带宽得到了显著提升。与上一代HBM3技术相比，HBM4的带宽提高了约66%，达到每秒2TB，通过16层堆叠实现48GB容量，保持高性能的同时，还能有效降低功耗。三星电子计划明年推出HBM4内存，以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。
原文链接：https://swt.fujian.gov.cn/xxgk/swdt/swyw/gjyw/202402/t20240228_6406933.htm
[免责声明] 本文来源于网络转载，仅供学习交流使用，不构成商业目的。版权归原作者所有，如涉及作品内容、版权和其它问题，请在30日内与本网联系，我们将在第一时间处理。
