第三代半导体SiC实验室项目来阳城对接

　　8月10—13日，第三代半导体SiC实验室项目方负责人修雷明来阳城开发区考察对接，双方初步达成意向性合作协议。

　　本项目核心团队是由著名半导体技术专家组成，掌握250多个专利，覆盖原材料制造、芯片制造、IC设计、SiP封装等领域，处于全球领先技术水平。

　　项目总投资175亿元，占地300亩。启动资金8000万元，建设实验室、测试中心、长晶房、办公区等约2000平方米，形成月产5000片碳化硅功率芯片制造能力。

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